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產(chǎn)品[松下HG-C系列CMOS型微型激光位移傳感器 HG-C1050]資料
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產(chǎn)品名稱: 松下HG-C系列CMOS型微型激光位移傳感器 HG-C1050
產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品展商: 日本神視SUNX/Panasonic
簡單介紹
松下HG-C系列CMOS型微型激光位移傳感器 HG-C1050 全新原裝松下HG-C系列CMOS型微型激光位移傳感器 HG-C1050
松下HG-C系列CMOS型微型激光位移傳感器 HG-C1050的詳細介紹

松下HG-C系列CMOS型微型激光位移傳感器 HG-C1050


種類

測量中心距離30mm型

測量中心距離50mm型

測量中心距離100mm型


NPN
輸出

HG-C1030

HG-C1050

HG-C1100

PNP
輸出

HG-C1030-P

HG-C1050-P

HG-C1100-P

符合規(guī)則

EMC適合指令、FDA規(guī)則

測量中心距離

30mm

50mm

100mm

測量范圍

±5mm

±15mm

±35mm

重復精度

10μm

30μm

70μm

直線性

±0.1% F.S.

溫度特性

0.03% F.S./℃

光源

紅色半導體激光 2級(JIS/IEC/GB)/Ⅱ級(FDA)(注2)
咀大輸出:1mW、投光波峰波長:655nm

光束直徑
(注3)

約?50μm

約?70μm

約?120μm

電源電壓

12~24V DC±10% 脈動P-P10%以下

消耗電流

40mA以下(電源電壓24V DC時、60mA以下(電源電壓12V DC時)

控制輸出

 

〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體管
? 咀大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-0V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下

〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? 咀大源電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下

輸出動作

入光時ON/非入光時ON 可切換

短路保護

配備(自動恢復)

模擬輸出

?輸出范圍:0~5V(正常時),5.2V(報警時)
?輸出阻抗:100Ω

反應(yīng)時間

1.5ms/5ms/10ms 可切換

外部輸入

〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效:+8~+V DC或開路
有效:0~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ

<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效:0~+0.6V DC或開路
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ

污損度

2

使用標高

2,000m以下

耐環(huán)境性

保護構(gòu)造

IP67(IEC)

使用環(huán)境
溫度

-10~+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲時20~+60°C

使用環(huán)境
濕度

35%RH~85%RH,存儲時:35%RH~85%RH

使用環(huán)境
照度

白熾燈:受光面照度3,000 lx以下

電纜

0.2mm2 5芯復合電纜,長2m

材質(zhì)

本體外殼:壓鑄鋁 前罩:丙烯基

重量

本體重量:約35g(不含電纜),約85g(含電纜)

 

(注1):

未指定測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC 環(huán)境溫度:+20℃ 響應(yīng)時間:10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。

(注2):

根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定,并以FDA為準。

(注3):

測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區(qū)域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,測定結(jié)果可能會受到影響。





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