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產(chǎn)品[Panasonic松下HG-C1100 CMOS型微型激光位移傳感器]資料
如果您對(duì)該產(chǎn)品感興趣的話,可以
產(chǎn)品名稱: Panasonic松下HG-C1100 CMOS型微型激光位移傳感器
產(chǎn)品型號(hào):
產(chǎn)品展商: 日本神視SUNX/Panasonic
簡單介紹
Panasonic松下HG-C1100 CMOS型微型激光位移傳感器 原裝正 品Panasonic松下HG-C1100 CMOS型微型激光位移傳感器
Panasonic松下HG-C1100 CMOS型微型激光位移傳感器的詳細(xì)介紹

Panasonic松下HG-C1100 CMOS型微型激光位移傳感器

規(guī)格詳細(xì)

項(xiàng)目

內(nèi)容

訂貨產(chǎn)品號(hào)

HG-C1100

型號(hào)

HG-C1100

適合規(guī)格

EMC適合指令、FDA規(guī)則

測(cè)量中心距離

100mm

測(cè)量范圍

±35mm

重復(fù)精度

70μm

直線性

±0.1% F.S.

溫度特性

0.03% F.S./℃

光源

紅色半導(dǎo)體激光 2級(jí)(JIS/IEC/GB)/II級(jí)(FDA)(注)
咀大輸出:1mW
投光峰波長度:655nm
(注):根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定、遵守FDA規(guī)則。

光束直徑

約?120μm
(注):測(cè)量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。如果定義區(qū)域外有光泄漏、并且檢測(cè)點(diǎn) 周圍有高于檢測(cè)點(diǎn)本身的強(qiáng)反射、測(cè)定結(jié)果可能會(huì)受到影響。

電源電壓

12~24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%以下

消耗電流

40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))
65mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
(注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品: 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、60mA以下(電源電壓12V DC時(shí))

控制輸出

NPN開路集電極晶體管
?咀大流入電流:50mA
?外加電壓:30V DC以下(控制輸出-0V之間)
?剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時(shí))
?漏電流:0.1mA以下

控制輸出:輸出動(dòng)作

入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON 可切換

控制輸出:短路保護(hù)

配備(自動(dòng)恢復(fù))

模擬輸出 : 模擬量電壓輸出

?輸出范圍:0~5V(報(bào)警時(shí):+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω

模擬輸出 : 模擬電流輸出

?輸出范圍:4~20mA(報(bào)警時(shí):0mA)
?輸出阻抗:300Ω
(注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。

反應(yīng)時(shí)間

1.5ms/5ms/10ms 可切換

外部輸入

NPN無接點(diǎn)輸入
?輸入條件
無效:+8~+V DC或開路
有效:0~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ

污損度

2

使用標(biāo)高

2,000m以下

耐環(huán)境性:保護(hù)構(gòu)造

IP67(IEC)

耐環(huán)境性:使用環(huán)境溫度

-10~+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲(chǔ)時(shí)20~+60℃

耐環(huán)境性:使用環(huán)境濕度

35~85%RH、存儲(chǔ)時(shí):35~85%RH

耐環(huán)境性:使用環(huán)境照度

白熾燈:受光面照明度3,000 lx以下

耐環(huán)境性:耐振動(dòng)

耐久10~55Hz(周期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時(shí)

耐環(huán)境性:耐沖擊

耐久500m/s2(約50G) XYZ各方向3次

電纜

0.2mm2 5芯復(fù)合電纜, 長2m

電纜延長

0.3mm2以上電纜 咀多延長至全長10m

材質(zhì)

本體外殼:壓鑄鋁
前罩:丙烯基

重量

本體重量:約35g(不含電纜)、約85g(含電纜)



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